北京*信息科学技术*考研真题 　　一、名词解释 　　受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎（还有两个记不清了，历年真题中可以找到） 　　二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下 　　1.说明A、B半导体的类型，并说明原因 　　2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么 　　三、题干给出了两种材料（n型Eg较窄，p型Eg较宽）的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图 　　1.无外加偏压 　　2.施加反向偏压Va 　　四、p-mos管（n型衬底）中，Wm 　　SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布 　　1.写出平带电压表达式 　　2.画出平带时的能带图 　　五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd 　　1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度 　　2.画出正偏时I-V曲线 　　3. Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别 　　六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd 　　1.写出电荷守恒表达式 　　2.写出低温区Ef与T的关系 　　3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线 　　经验指导 　　1、零基础复习阶段（6月前) 　　本阶段根据考研科目，选择适当的参考教材，有目的地把教材过一遍，全面熟悉教材，适当扩展知识面，熟悉专业课各科的经典教材。这个期间非常痛苦，要尽量避免钻牛角尖，遇到实在不容易理解的内容，先跳过去，要把握全局。系统掌握本专业理论知识。对各门课程有个系统性的了解，弄清每本书的章节分布情况，内在逻辑结构，重点章节所在等，但不要求记住，最终基本达到清华本科水平。 　　2、基础复习阶段（6－8月) 　　本阶段要求考生熟读教材，攻克重难点，全面掌握每本教材的知识点，结合真题找出重点内容进行总结，并有相配套的专业课知识点笔记,进行深入复习，加强知识点的前后联系，建立整体框架结构，分清重难点，对重难点基本掌握。同时多练习相关参考书目课后习题、习题册，提高自己快速解答能力，熟悉历年真题，弄清考试形式、题型设置和难易程度等内容。要求吃透参考书内容，做到准确定位，事无巨细地对涉及到的各类知识点进行地毯式的复习，夯实基础，训练思维，掌握一些基本概念和基本模型。